首页 > 商品目录 > > > > RH6P040BHTB1代替型号比较

RH6P040BHTB1  与  BSZ340N08NS3 G  区别

型号 RH6P040BHTB1 BSZ340N08NS3 G
唯样编号 A32-RH6P040BHTB1 A-BSZ340N08NS3 G
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Nch 100V 40A, HSMT8, Power MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 15.6mΩ@40A,10V 34mΩ@12A,10V
上升时间 - 3ns
漏源极电压Vds 100V 80V
Pd-功率耗散(Max) 59W 32W
Qg-栅极电荷 - 9.1nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 8S
典型关闭延迟时间 - 11ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 HSMT8 PG-TSDSON-8
连续漏极电流Id 40A 23A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
长度 - 3.3mm
下降时间 - 2ns
典型接通延迟时间 - 8ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 7 - 14天 56 - 70天
单价(含税)
1+ :  ¥6.6764
25+ :  ¥6.1819
100+ :  ¥5.7239
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
RH6P040BHTB1 ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

HSMT8

¥6.6764 

阶梯数 价格
1: ¥6.6764
25: ¥6.1819
100: ¥5.7239
100 当前型号
IRFHM3911 Infineon  数据手册 功率MOSFET

PQFN3.3x3.3B

暂无价格 0 对比
BSZ340N08NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ340N08NS3GATMA1_3.3mm PG-TSDSON-8

暂无价格 0 对比
ISZ230N10NM6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

PG-TSDSON-8FL

暂无价格 0 对比
BSZ146N10LS5 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ146N10LS5ATMA1_

暂无价格 0 对比
BSZ150N10LS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ150N10LS3GATMA1_3.3mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售